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SiC 及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会
第20回講演会

以下に示す、SiC 及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会において、企業展示および講演発表を行いました。

SiC 及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会　第20回講演会

   日時：2011年12月8日 〜 9日
   会場：愛知県産業労働センター（ウインクあいち）
   弊社発表内容：企業展示およびインダストリアルセッションでの講演発表
   講演内容：フラックス法，昇華法， CVD 法での SiC 結晶成長解析
   発表者：株式会社ウェーブフロント 営業部 塚田佳紀

弊社からは、結晶成長シミュレーションソフトウェアの最新バージョンを中心にご紹介いたしました。

弊社展示ブースにも、多くの方にお立ち寄りいただき、結晶成長分野でのシミュレーション、特に SiC の結晶成長に関わる多くの研究者、技術者の方と ディスカッションを行うことができました。 また、インダストリアルセッションでは弊社取扱製品を使用した SiC 結晶成長解析事例（フラックス法，昇華法，CVD 法での SiC 結晶成長解析事例）について、講演いたしました。講演資料の詳細にご興味のある方は、お問い合わせください。